图1 利用立体NAND来改善性能
此次发布的SSD“Samsung SSD 850 PRO”，通过采用立体NAND“V-NAND”，获得了比采用平面NAND的原产品更高的性能。（该表由日经BP半导体调查根据三星的资料编制）
三星在此次的发布会上强调了V-NAND的高性能。与20nm工艺平面型NAND（平面NAND）相比，“写入速度可达到两倍，可擦写次数为2～10倍，耗电量却只有1/2”（三星高级副总裁、闪存设计部门的Kye Hyun Kyung）。
据三星介绍，能够实现高性能的原因是，存储单元的材料及构造与平面NAND存在根本性的差异。V-NAND在绝缘性SiN膜而不是平面NAND所使用的导电性多晶硅膜上储存电子。而且，由于能够在三维方向上获得存储容量，因此可以放宽水平方向的设计工艺（增大存储单元的尺寸）。
三星称，这些因素可使随着闪存集成度的提高而增强的电气性干扰（发生于存储单元之间）小于平面NAND。因此，可减少写入数据时的写入/验证注1）次数，从而提高写入速度。
注1）验证（Verify）是指用来确认数据是否被正确写入的序列处理。
另外，因为存储单元的尺寸可以增大，所以可保存的电子数量也会增加。一般来说，反复擦写的次数越多，电子越容易泄露，但电子数量本来就很多，因此可以减轻电子泄露对数据产生的影响。这样便可增加擦写次数。三星还通过随着三维化而更改电路设计等措施，降低了耗电量。
此次发布的新产品“Samsung SSD 850 PRO”与原产品相比，写入速度、擦写次数及耗电量均获得了改善。改善幅度尤其大的是擦写次数（图2）。能够擦写的数据总容量（TBW：total bytes written）的保证值提高了约一倍。耐用年数为10年，在普通消费者用SSD中，如此长的年限是没有先例的。